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' _1 m0 O4 A4 _9 a3 G1. C/N 值衡量的是你Rx Noise Figure 能压多低 不代表你定位速度就会快
9 s% F$ r9 X+ t" q换句话说 有可能相关 例如改变手握位置 天线效率好 定位速度就
) E2 l* Y- b/ |2 j快 我猜此时Wireless 的C/N 值应该有比较好
1 V$ G4 E5 ^% C" W: ]9 [& p4 y但也可能不相关 就像你C/N 有42 但反而定不到位
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2. 但有一点肯定 就是定位速度跟频偏量有关 频偏量大 定位速度就慢
! m& } |* R1 w5 g/ k4 }' ~& W0 p过大甚至会定不到位 所以X’TAL 就成了重要关键8 t* r- x3 ]. Y: ^) A4 P" U- R2 |1 Q
/ `0 R" \- C$ b) f4 J% \3 w3. 所以可以把X’TAL 上方的Shielding Cover 拔掉看看 减少寄生效应
) b Z8 J4 d% q看定位速度会不会比较快 因为可能测板端时
' ^. Y. x3 O' J, S' ~ Z1 T6 N; qShielding Cover 的高度还算足够 所以不会有严重的寄生效应
- m: M9 V( d! M& k; r$ H但是测Wireless 时 整机组起来, x7 R0 V' f& j6 X# j3 h1 q
Housing 往下挤压 Shielding Cover 的高度被压缩 寄生效应变大! ~9 E. w! r! |, D. m7 R
以至于Wireless 的定位时间变慢- o2 n0 `% B* S/ j
) E8 _+ m8 m; Q# `% ]; B
4. X’TAL 的校正 除了靠高通的XTT 之外
! P( r( `: O3 O2 U% r& A& J跟基地台连接时 X’TAL 也会做自我校正
. H4 K% U( _# p! ~) N所以那些定位速度慢的Sample 可以先插Test Sim 去跟CMW 500 连接$ @) f9 _) @4 O& `: K
让他们做完自我校正 之后看定位速度会不会快一点4 ]- y/ j' _0 D& a$ c
F, S; g4 g& o5 H- M I5 \' M6 ^5. 早期高通平台 有一组NV 可以调负载电容值2 z' [0 l5 s0 R5 V
NV_XO_TRIM_VALUES_I6 } r( X% U% b& L* n$ v
可以调看看 因为负载电容值 会影响频偏量
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; t- L, W/ w6 J6 X7 C
6. 把Fail sample 吹凉再去测 因为X’TAL 对温度很敏感9 z+ c% J# A. v q4 q' }
所以Shielding Cover 拔掉若有改善 另一个解释是加强散热
! C* X2 t4 }+ r! B以致于频偏小了 那当然定位速度就快3 ?3 m3 Z9 S# |. F* e
3 E( L7 s3 T' F/ W( \0 `& L6 L6 D7. X’TAL 本身来料有问题
) G* T7 T% z- c若是这原因 理论上应该板端的定位速度就会慢了
4 {3 b9 d3 p+ g% @不会到Wireless 才变慢
$ P; n5 P4 _8 V而且应该GSM / WCDMA / LTE 的Frequency Error 也会比较大6 n% r5 c8 |: a, q
可先确认是否PCB 就无法定位了
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: q( v: P( L" d0 T/ m7 o& r8. PMIC 来料有问题 因为X’TAL 的负载电容 是内建在PMIC* \6 t5 B( T1 A' o s2 M0 F; E
9 b9 }$ z$ F( [& d
但同第7 点 若是这原因
# A; n& M) W7 @% X1 U: e理论上应该板端的定位速度就会慢了 不会到Wireless 才变慢
$ k9 L1 t. g! m所以可能性不大
; `- b9 e' E4 }0 `. H7 e7 d) L" [$ O8 r; c* B) }9 C2 J
9 . MSM 来料问题 因为最终GPS 信号 会送到BB 的Modem 去做解调) l; ?, K0 W# F+ F' J! }4 ~) J/ `5 K2 ]
不过同第7 点 若是这原因 理论上应该板端的定位速度就会慢了
+ q' q7 W y9 z6 s6 I& i不会到Wireless 才变慢; n4 d7 u4 M& e5 `1 {# q0 q- [8 n
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10. 由上面可知 频偏跟X’TAL/PMIC/Transceiver/MSM 有关( |2 O% ?1 F# J5 Q6 _
因此Shielding Cover 除了有可能对X’TAL 产生寄生效应
/ W9 G7 z+ r! H3 M5 _0 K- m也可能对PMIC/Transceiver/MSM 内部的Bond Wire 产生寄生效应
' ~; [& b# R& h3 l当然验证最快方法 就是把Shielding Cover 拔掉
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' X% B: A4 Z7 R3 Y" V6 s11. 因为X’TAL 是压电材料& k" P6 i+ E" W( m
进而改变震荡频率2 s. q u* c1 [
若X’TAL 附近有Vibrator
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会因为外在施压 产生特定电压# V; Y! l# N. K" X3 i' t
就会导致频偏 |
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发表于 2017-3-21 16:17:43
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