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, ?6 N# W! |9 x& w, z4 t5 x1. C/N 值衡量的是你Rx Noise Figure 能压多低 不代表你定位速度就会快
5 R. {6 Z& V9 A% d, @' i, [换句话说 有可能相关 例如改变手握位置 天线效率好 定位速度就8 Q$ f/ F* O: m5 n
快 我猜此时Wireless 的C/N 值应该有比较好7 A$ k L' }# _% Z0 H6 S0 B
但也可能不相关 就像你C/N 有42 但反而定不到位
+ K I) h' u+ Z2 k
1 p& Z8 k7 J& F! V, N' j2. 但有一点肯定 就是定位速度跟频偏量有关 频偏量大 定位速度就慢% P7 a/ m4 ]$ P
过大甚至会定不到位 所以X’TAL 就成了重要关键
p: j* _6 X+ l# v8 X* ?4 ~$ l- i* b% o3 d$ W+ l( q
3. 所以可以把X’TAL 上方的Shielding Cover 拔掉看看 减少寄生效应
n3 w3 z) C; n4 @/ u- Q% R看定位速度会不会比较快 因为可能测板端时* _- H: M' i8 h3 K
Shielding Cover 的高度还算足够 所以不会有严重的寄生效应3 p5 D4 N% z6 [
但是测Wireless 时 整机组起来
4 |7 m( m+ L! _' e: Q. i4 pHousing 往下挤压 Shielding Cover 的高度被压缩 寄生效应变大9 G. N" |0 l D+ z6 L9 @. S) p
以至于Wireless 的定位时间变慢
9 m8 Y- a* N9 A% O5 S) F& i3 a# f6 E' |
4. X’TAL 的校正 除了靠高通的XTT 之外
8 P* _3 C7 ?" ?跟基地台连接时 X’TAL 也会做自我校正/ W* |. D6 Z; b+ r* V6 ]2 ?7 m
所以那些定位速度慢的Sample 可以先插Test Sim 去跟CMW 500 连接
2 a. R1 M" {" N1 t V F$ N让他们做完自我校正 之后看定位速度会不会快一点2 c; [( V2 P6 s* t9 p2 _9 n4 f
( x& L# u: J m
5. 早期高通平台 有一组NV 可以调负载电容值
% w" [7 B& g! H3 jNV_XO_TRIM_VALUES_I0 C2 u, R. p: H4 g; F8 ~
可以调看看 因为负载电容值 会影响频偏量8 R, a- }- ]. _7 i3 H: Q
; N5 r3 ^/ t; M
6. 把Fail sample 吹凉再去测 因为X’TAL 对温度很敏感3 u+ s+ U& s; ?0 U
所以Shielding Cover 拔掉若有改善 另一个解释是加强散热2 i L/ u3 I5 b6 O2 v( o3 Z
以致于频偏小了 那当然定位速度就快
2 c6 [" b' f4 C$ f, o4 f1 r
" z/ O4 J, a+ K8 t7. X’TAL 本身来料有问题: T z9 J, R$ j& h$ j
若是这原因 理论上应该板端的定位速度就会慢了
# Z, ?( C0 h3 t9 G不会到Wireless 才变慢* L5 e* w, c0 j. O+ D
而且应该GSM / WCDMA / LTE 的Frequency Error 也会比较大
" x: K& G9 T* Q7 C+ z6 T可先确认是否PCB 就无法定位了
9 n3 q/ E# a( j3 Y. W% R* D3 `5 t8 b0 K1 @7 [/ d3 Y' {
8. PMIC 来料有问题 因为X’TAL 的负载电容 是内建在PMIC+ v: y6 F' E9 P; @: H* W
& R! R+ ?; j" [4 T( O- e' H
但同第7 点 若是这原因
1 l% ^6 {) c% n) a( c& a8 C理论上应该板端的定位速度就会慢了 不会到Wireless 才变慢# y. T( I) @- ]) _; l9 \! R4 N4 @" y
所以可能性不大
3 t, k) u% ^1 B7 `3 O$ B/ n: K7 A6 {- T, K. O
9 . MSM 来料问题 因为最终GPS 信号 会送到BB 的Modem 去做解调
2 s! n2 G6 B! b/ u. p6 y不过同第7 点 若是这原因 理论上应该板端的定位速度就会慢了
0 Y1 Y9 j$ ]* S# B9 C3 Y不会到Wireless 才变慢
1 N8 g& l, r0 |: K# ?. `" `
7 l2 J. F1 K) G$ ]10. 由上面可知 频偏跟X’TAL/PMIC/Transceiver/MSM 有关
9 H3 y& _4 V4 \' b) T+ t因此Shielding Cover 除了有可能对X’TAL 产生寄生效应
5 f L( a& W. [2 _- a! K. x也可能对PMIC/Transceiver/MSM 内部的Bond Wire 产生寄生效应
( E F8 ~" P' D3 X% a2 m0 `4 z当然验证最快方法 就是把Shielding Cover 拔掉
! s2 n& `' x- u q. t( W
' a' t; \$ q/ s% T0 `- p1 t11. 因为X’TAL 是压电材料
8 v) e4 n4 ?" N4 `! o) h进而改变震荡频率8 S' v" k1 ^: H
若X’TAL 附近有Vibrator
3 K) N& J# x6 t! ^$ J& l9 x
8 m. z- D- n9 x1 m$ l0 n) k会因为外在施压 产生特定电压
! ?2 J# u! Z8 W$ ~; r就会导致频偏 |
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发表于 2017-3-21 16:17:43
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